前幾天Intel發(fā)布了最新的CPU工藝路線圖,瞄準2024年的20A工藝也首次亮相,會使用GAA晶體管工藝,Intel推出了RibbonFET及PowerVia兩項革命性技術。
接下來是Intel 18A,預計2025年初投產,繼續(xù)強化RibbonFET,還有下一代高NA EUV光刻,與ASML合作。
Intel決心在半導體工藝上重回領導地位,臺積電也面臨壓力,好消息是他們的2nm工藝Fab20日前獲批。
據(jù)介紹,F(xiàn)ab20工廠將分為4期廠房逐步動工,前2期廠房預估會在2023年下半年完工并展開裝機作業(yè),2024年下半年可望進入量產階段,2nm工藝4期廠房全部完工量產要到2025~2026年,總月產能將逾10萬片規(guī)模。
臺積電的2nm工藝雖然沒有詳細規(guī)格流出,但也會上GAA晶體管,臺積電為此開發(fā)了新的nanosheet納米片技術,可以更好地控制閾值電壓(Vt),波動降低至少15%,將大大改善芯片設計、性能。
除了Intel、臺積電之外,三星的3nm工藝工藝也會在2024年左右量產,盡管3nm跟2nm工藝還差了一代,但三星是首個進入GAA晶體管工藝的廠商,依然不容小覷,這三大半導體巨頭將在2024年有一場惡戰(zhàn),GAA技術表現(xiàn)如何,三家廠商的表現(xiàn)讓人關心。
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