臺積電2nm工廠2024年量產 與三星、Intel決戰(zhàn)GAA晶體管技術

前幾天Intel發(fā)布了最新的CPU工藝路線圖，瞄準2024年的20A工藝也首次亮相，會使用GAA晶體管工藝，Intel推出了RibbonFET及PowerVia兩項革命性技術。

接下來是Intel 18A，預計2025年初投產，繼續(xù)強化RibbonFET，還有下一代高NA EUV光刻，與ASML合作。

Intel決心在半導體工藝上重回領導地位，臺積電也面臨壓力，好消息是他們的2nm工藝Fab20日前獲批。

據(jù)介紹，F(xiàn)ab20工廠將分為4期廠房逐步動工，前2期廠房預估會在2023年下半年完工并展開裝機作業(yè)，2024年下半年可望進入量產階段，2nm工藝4期廠房全部完工量產要到2025～2026年，總月產能將逾10萬片規(guī)模。

臺積電的2nm工藝雖然沒有詳細規(guī)格流出，但也會上GAA晶體管，臺積電為此開發(fā)了新的nanosheet納米片技術，可以更好地控制閾值電壓(Vt)，波動降低至少15％，將大大改善芯片設計、性能。

除了Intel、臺積電之外，三星的3nm工藝工藝也會在2024年左右量產，盡管3nm跟2nm工藝還差了一代，但三星是首個進入GAA晶體管工藝的廠商，依然不容小覷，這三大半導體巨頭將在2024年有一場惡戰(zhàn)，GAA技術表現(xiàn)如何，三家廠商的表現(xiàn)讓人關心。

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