Intel 3D XPoint存儲黑科技露出真面目：存儲密度好小

3D XPoint技術(shù)是Intel、美光聯(lián)合研發(fā)的新型非易失性存儲架構(gòu)，Intel方面將其命名為Optane傲騰，已經(jīng)先后發(fā)布了企業(yè)級固態(tài)硬盤、消費(fèi)級緩存盤兩種樣式，明年還會有DIMM內(nèi)存條，可以說它將模糊傳統(tǒng)存儲、內(nèi)存的界限，稱之為黑科技毫不為過。

一直以來，Intel對于3D XPoint的內(nèi)部架構(gòu)設(shè)計(jì)和規(guī)格諱莫如深，但現(xiàn)在產(chǎn)品有了，就好辦了。

TechInsights的逆向工程師們將3D XPoint芯片放在顯微鏡下，發(fā)現(xiàn)了一些有趣的現(xiàn)象。

首先來看存儲內(nèi)核面積：

3D XPoint居然完全不如當(dāng)今的一眾NAND閃存，別說3D立體式的，就連2D平面式的都趕不上，只是和Intel/美光的20nm MLC差不多。

好吧，容量其實(shí)根本就不是3D XPoint的長項(xiàng)。PCI-E固態(tài)硬盤首發(fā)容量才375GB，后續(xù)才會做到750GB、1TB，緩存盤樣式更是只有16/32GB。

面積那么大，容量那么小，存儲密度就可想而知了：

每平方毫米才0.62Gb，也是倒數(shù)行列，只有Intel/美光堆了64層的256Gb TLC NAND的七分之一。

經(jīng)過計(jì)算得知，3D XPoint內(nèi)核中有多達(dá)91.4％都被存儲陣列所占據(jù)，而傳統(tǒng)的NAND閃存最高也就84.9％，而三星的48層堆疊3D V-NAND更是不到70％。

當(dāng)然，這也意味著3D XPoint有很大的潛力，Intel或許會慢慢克服新技術(shù)面臨的障礙，逐步提高存儲密度和容量。

另外可以確認(rèn)，3D XPoint的制造工藝是20nm，這也是當(dāng)今閃存界的主流。

如果對比DRAM內(nèi)存的話，3D XPoint的存儲密度還是相當(dāng)可觀的，相比典型的20nm DRAM要高出大約4.5倍，對比1xnm DDR4也要高出3.3倍左右。

明年的3D XPoint內(nèi)存條或許會更精彩……